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铌酸锂Q开关

铌酸锂Q开关

G&H电光Q开关采用可用的最高光学质量的铌酸锂。铌酸锂电光效应使得它非常有用对普克尔斯盒q开关的激光器类型包括Nd:YAG,ND:YALO,Nd:林业和Er:林业种植。铌酸锂Q开关用于军事和商业应用,包括目标指定,测距和眼科手术。
我们的晶体损耗低,高对比度,和较低的波前畸变,并符合300MW/cm的使用条件。 。我们的电光LN Q开关的温度稳定(TS和XTS)版本允许在较宽的温度范围内操作,同时保持极好的对比度。
电光Q开关可以用来调制激光腔中的损耗以产生高强度,脉冲激光。当电磁场被施加到诸如铌酸锂(LN)等电光活性晶体上时,引起折射率与电场成正比的变化,称为Pockels效应。穿过有源晶体的光经历与相互作用长度成比例的相变,改变它的极化。通过将一双cross-polarizers之间的晶体,光可以以非常快的开关速度通过或阻挡。这允许G&H铌酸锂晶体用于创建用于调制激光腔内光强度的Pocckels单元,实现Q开关并产生非常短的,高质量EO Q开关具有以下几个重要特性:
  • 非常低的损耗”使输出强度最大化的状态
  • 高对比度关于“和“”状态
  • 能够承受非常高的激光功率峰值
在G&H,我们在公司内部生长和抛光高质量的铌酸锂(LN)晶体,应用电极在横向模式(即使用。垂直于光轴或z轴的电场。我们的LN晶体具有高的消光比,非常低的传输损耗,开关电压低,温度稳定性好,温度范围宽。高性能的基于“增大化现实”技术的涂料应用于每一个脸,减少损失?0.2%的表面而承受高的光功率(> 300 MW /厘米 典型的,>500 mW/cm 根据要求)。

确保温度稳定性

温度稳定性是选择EO Q开关的首要条件,导致我们推出了TS和XTS温度稳定产品系列。典型的铌酸锂Q开关在航空航天中常见的低温环境下工作时,会产生热电荷积累,导致过早的激光。虽然放射性镅可以用来电离晶体周围的空气并放出电荷,这些材料的处理和处理是有问题的。
我们使用专有的热化学还原技术来提高LN晶体表面的导电性,从而消散电荷,消除过早的激光效应。虽然这个过程略有增加插入损耗,它允许我们使用温度稳定的TS和XTS Q开关,因为它们工作温度范围宽,同时保持极好的对比度。

EO与AO Q开关

Q开关也可以通过声光效应来实现。MHz的AO q开关操作切换速度,而EO Q开关允许GHz开关。取决于晶体表面的大小和相互作用的长度,EO Q开关可能需要比AO Q开关更高的功率。更大的光束尺寸要求向EO晶体施加更高的功率,但这可以通过使用更长的交互长度来减轻。G&H工程师的支持确保每个客户都能得到最适合应用的产品,从坚固的测距仪到精密的眼科手术系统。

铌酸锂的应用q开关

测距仪、目标指示器。

产品 波长 损伤阈值 尺寸 消光比 波前畸变